DMN2075UDW-7 与 BSD214SN H6327 区别
| 型号 | DMN2075UDW-7 | BSD214SN H6327 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN2075UDW-7-0 | A-BSD214SN H6327 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 1.25mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 111mΩ | ||
| 上升时间 | - | 7.8ns | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 800pC | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 594.3 pF @ 10 V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±8V | 12V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4S | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 7 nC @ 4.5 V | - | ||
| 封装/外壳 | SOT-363 | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 2.8A(Ta) | 1.5A | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 2.00mm | ||
| 下降时间 | - | 1.4ns | ||
| 高度 | - | 0.90mm | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 500mW(1/2W) | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 48mΩ@3A,4.5V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 6.8ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 系列 | - | BSD214 | ||
| 驱动电压 | 1.5V,4.5V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 4.1ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 319 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.8A(Ta) |
￥0.6243
|
319 | 当前型号 | ||||
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BSD214SN H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 1.5A 111mΩ 12V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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