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DMN2075UDW-7  与  BSD214SN H6327  区别

型号 DMN2075UDW-7 BSD214SN H6327
唯样编号 A36-DMN2075UDW-7-0 A-BSD214SN H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 111mΩ
上升时间 - 7.8ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 800pC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 594.3 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±8V 12V
正向跨导 - 最小值 - 4S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-363 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.8A(Ta) 1.5A
配置 - Single
长度 - 2.00mm
下降时间 - 1.4ns
高度 - 0.90mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 500mW(1/2W)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 48mΩ@3A,4.5V -
典型关闭延迟时间 - 6.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSD214
驱动电压 1.5V,4.5V -
典型接通延迟时间 - 4.1ns
库存与单价
库存 320 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8495
200+ :  ¥0.6534
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2075UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55℃~150℃(TJ) 20V 2.8A(Ta)

¥0.8495 

阶梯数 价格
60: ¥0.8495
200: ¥0.6534
320 当前型号
BSD214SNH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD214SN H6327_N 通道 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSD214SN H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD214SNH6327XTSA1_20V 1.5A 111mΩ 12V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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